IGBT транзисторы
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Модель | Название | Производитель | Наличие | Количество |
---|---|---|---|---|
GT15J341,S4X(S DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT20J341,S4X(S DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT30J121(Q) DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT30J341,Q(O DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT40QR21(STA1,E,D DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT40RR21(STA1,E,S) DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT40WR21,Q(O DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT50J342,Q(O DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT50JR21(STA1,E,S) DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT50JR22(STA1,E,S) DISCRETE IGBT WITH DIODE | Toshiba | На складе | ||
GT60M324(Q) DISCRETE IGBT WITH DIODE, TO-3PN | Toshiba | На складе | ||
GT60N321(Q) DISCRETE IGBT WITH DIODE, TO-3PL | Toshiba | На складе | ||
IXA12IF1200PB IGBT транзистор; 1200В; 20А; 1.8В; со встроенным диодом; корпус TO-220 | IXYS | На складе | ||
IXA17IF1200HJ | IXYS | На складе | ||
IXA33IF1200HB IGBT транзистор; 1200В; 58А; 1,8В; корпус ТО-247 | IXYS | На складе | ||
IXA37IF1200HJ | IXYS | На складе | ||
IXA45IF1200HB | IXYS | На складе | ||
IXA60IF1200NA IGBT транзистор; 1200В; 88А; 1,8В; корпус SOT-227B | IXYS | На складе | ||
IXBF14N250 | IXYS | На складе | ||
IXBF20N300 IGBT транзистор; 3000В; 14А; 3,2В; корпус ISOPLUS i4-Pak | IXYS | На складе | ||
IXBF40N160 | IXYS | На складе | ||
IXBF55N300 высоковольтный IGBT, BiMOSFET, ISOPLUS i4-Pak, 290 Вт, 3000В/73 А (25°С)/28 А (110°С), Vse менее 3.2 В, Trr 1,9 мксек, изоляция 4000В AC, -55...+150° | IXYS | На складе | ||
IXBF9N160G | IXYS | На складе | ||
IXBH10N170 | IXYS | На складе | ||
IXBH14N250 | IXYS | На складе | ||
IXBH14N250A | IXYS | На складе | ||
IXBH16N170 | IXYS | На складе | ||
IXBH16N170A IGBT транзистор; 1700В; 16А; 6В; корпус ТО-247 | IXYS | На складе | ||
IXBH20N300 высоковольтный IGBT, BiMOSFET, TO-247, 250 Вт, 3000В/50 А (25°С)/20 А (110°С), Vse менее 3.2 В, Trr 1,35 мксек, -55...+150°С | IXYS | На складе | ||
IXBH40N160 | IXYS | На складе | ||
IXBH42N170 | IXYS | На складе | ||
IXBH42N170A IGBT транзистор; 1700В; 21А; 6В; корпус ТО-247 | IXYS | На складе | ||
IXBH5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) | IXYS | На складе | ||
IXBH6N170 IGBT транзистор; 1700В; 6А; 3,4В; корпус ТО-247 | IXYS | На складе | ||
IXBH9N160G | IXYS | На складе | ||
IXBK55N300 BiMOSFET IGBT транзистор, 625 Вт, TO-264, 3000В/130А(25°C),55А(110°C), Vse sat <3.2В, -55...+150°C | IXYS | На складе | ||
IXBK64N250 Высоковольтный BiMOSFET транзистор, 735 Вт, корпус TO-264, напряжение 2500В/64А (110°C), Vsat 3В, -55...+150°C | IXYS | На складе | ||
IXBN42N170A | IXYS | На складе | ||
IXBN75N170A | IXYS | На складе | ||
IXBP5N160G | IXYS | На складе | ||
IXBT10N170 | IXYS | На складе | ||
IXBT16N170A | IXYS | На складе | ||
IXBT42N170 | IXYS | На складе | ||
IXBT42N170A | IXYS | На складе | ||
IXBT6N170 | IXYS | На складе | ||
IXBX64N250 IGBT транзистор; 2500В; 64А; 3В; корпус PLUS247 | IXYS | На складе | ||
IXBX75N170 IGBT транзистор; 1700В; 75А; 3,1В; корпус PLUS247 | IXYS | На складе | ||
IXDA20N120AS | IXYS | На складе | ||
IXDA20N120AS TR TO-263AB (D2Pak) (2) | IXYS | На складе | ||
IXDH20N120 | IXYS | На складе | ||
IXDH20N120D1 | IXYS | На складе | ||
IXDH30N120 | IXYS | На складе | ||
IXDH30N120D1 IGBT транзистор; 1200В; 60А; 2,4В; корпус ТО-247 | IXYS | На складе | ||
IXDH35N60B | IXYS | На складе | ||
IXDH35N60BD1 | IXYS | На складе | ||
IXDN55N120D1 | IXYS | На складе | ||
IXDN75N120 | IXYS | На складе | ||
IXDP20N60B | IXYS | На складе | ||
IXDP20N60BD1 | IXYS | На складе | ||
IXDP35N60B | IXYS | На складе | ||
IXDR30N120 | IXYS | На складе | ||
IXDR30N120D1 | IXYS | На складе | ||
IXDR35N60BD1 | IXYS | На складе | ||
IXEH25N120 TO-247AD (3) | IXYS | На складе | ||
IXEH25N120D1 TO-247AD (3) | IXYS | На складе | ||
IXEH40N120 TO-247AD (3) | IXYS | На складе | ||
IXEH40N120D1 TO-247AD (3) | IXYS | На складе | ||
IXEL40N400 IGBT транзистор; 4000В; 40А; 3,2В; корпус ISOPLUS i5-Pak | IXYS | На складе | ||
IXER35N120D1 ISOPLUS247 (3) | IXYS | На складе | ||
IXGA12N120A2 | IXYS | На складе | ||
IXGA16N60B2 | IXYS | На складе | ||
IXGA16N60B2D1 | IXYS | На складе | ||
IXGA16N60C2 | IXYS | На складе | ||
IXGA16N60C2D1 | IXYS | На складе | ||
IXGA20N100 | IXYS | На складе | ||
IXGA20N120 | IXYS | На складе | ||
IXGA20N120B | IXYS | На складе | ||
IXGA7N60B | IXYS | На складе | ||
IXGA7N60BD1 TO-263AB (D2Pak) (2) | IXYS | На складе | ||
IXGA7N60C | IXYS | На складе | ||
IXGA7N60CD1 | IXYS | На складе | ||
IXGA8N100 | IXYS | На складе | ||
IXGC16N60B2 | IXYS | На складе | ||
IXGE200N60B | IXYS | На складе | ||
IXGF30N400 Не рекомендован для новых разработок | IXYS | На складе | ||
IXGF32N170 | IXYS | На складе | ||
IXGF36N300 высоковольтный транзистор IGBT, 160Вт, ISOPLUS i4-Pak, 3000В/36А, VCE(sat) 2,7В, изоляция 4000 В AC, -55...+125°С | IXYS | На складе | ||
IXGH100N30C3 | IXYS | На складе | ||
IXGH10N100A | IXYS | На складе | ||
IXGH10N170 | IXYS | На складе | ||
IXGH10N170A | IXYS | На складе | ||
IXGH120N30B3 | IXYS | На складе | ||
IXGH120N30C3 | IXYS | На складе | ||
IXGH12N120A2D1 | IXYS | На складе | ||
IXGH15N120CD1 | IXYS | На складе | ||
IXGH16N170 | IXYS | На складе | ||
IXGH16N170A IGBT транзистор; 1700В; 11А; 5В; корпус ТО-247 | IXYS | На складе | ||
IXGH16N170AH1 | IXYS | На складе | ||
IXGH16N60B2D1 | IXYS | На складе | ||
IXGH16N60C2D1 | IXYS | На складе |