ВЧ, СВЧ транзисторы
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Производители:
Renesas Electronics
Toshiba
| Модель | Название | Производитель | Наличие | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 2SK3074(TE12L,F) RF-MOSFET N-CH | Toshiba | На складе | ||
| 2SK3075(TE12L,Q) RF-MOSFET N-CH | Toshiba | На складе | ||
| 2SK3475(TE12L,F) RF-MOSFET N-CHANNEL | Toshiba | На складе | ||
| 2SK3476(TE12L,Q) RF-MOSFET N-CHANNEL | Toshiba | На складе | ||
| NE321000 Снято с пр-ва см. NE3515S02-T1C-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3210S01-T1B Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 4…18ГГц, Кш=0,35дБ(12ГГц), Ga=13,5дБ(12ГГц), Uси=3В, Iс=10мА, S01, -40…+85С | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE32500 Снято с пр-ва см. NE3515S02-T1C-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE334S01-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE34018-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE350184C-T1-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 20ГГц, Кш=0,7дБ(20ГГц), Ga=13,5дБ(20ГГц), -40...85C, корпус 84С | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3503M04-T2 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2…18ГГц, Кш=0,55дБ(12ГГц), Ga=11,5дБ(12ГГц), Uси=3В, Iстока нас.=40мА, F4TSMM, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3508M04-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,45дБ(2ГГц), Ga=14дБ(2ГГц),Uси=4В, Iстока нас.=90мА, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3508M04-T2-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,45дБ(2ГГц), Ga=14,0дБ(2ГГц),Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40...85C, корпус F4TSMM | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3509M04-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,4дБ(2ГГц), Ga=17,5дБ(2ГГц),Uси=4В, Iстока нас.=45мА, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3509M04-T2 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,4дБ(2ГГц), Ga=17,5дБ(2ГГц),Uси=4В, Iстока нас.=45мА, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3509M04-T2-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,4дБ(2ГГц), Ga=17,5дБ(2ГГц),Uси=4В, Iстока нас.=45мА, -40...85C корпус F4TSMM | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3510M04 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 4ГГц, Кш=0,45дБ(4ГГц), Ga=16дБ(20ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=15мА, -40…+85 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3510M04-T2-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 4ГГц, Кш=0,45дБ(4ГГц), Ga=16дБ(20ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=15мА, -40…+85 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3511S02 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,30дБ(12ГГц), Ga=13,5дБ(12ГГц), раб темп. -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3511S02-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,30дБ(12ГГц), Ga=13,5дБ(12ГГц), раб темп. -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3511S02-T1C-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,30дБ(12ГГц), Ga=13,5дБ(12ГГц), раб темп. -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3512S02-T1C-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3514S02-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 20ГГц, Кш=0,75дБ(20ГГц), Ga=10дБ(20ГГц), Uси=4В, Iстока нас.=40мА, -40…+85 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3514S02-T1C-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 20ГГц, Кш=0,75дБ(20ГГц), Ga=10дБ(20ГГц), Uси=4В, Iстока нас.=40мА, -40…+85 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3515S02-T1C-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,3дБ(12ГГц), Ga=12.5дБ(12ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40…+85 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3517S03-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,7дБ(2ГГц), Ga=13,5дБ(2ГГц), -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE3517S03-T1C-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 2ГГц, Кш=0,7дБ(2ГГц), Ga=13,5дБ(2ГГц),-40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE425S01-T1B Снято с пр-ва см. NE3515S02-T1C-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE52418-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5500179A-T1 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=30дБм(1,9ГГц), Кус.лин=14дБ, КПД=55%, Uси=8В, Iс=340мА, 79A, -40…+85?С | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5500179A-T1-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=30дБм(1,9ГГц), Кус.лин=14дБ, КПД=55%, Uси=8В, Iс=340мА, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5500479A-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5510279A-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=35,5дБм(0,9ГГц), Кус.лин=16дБ, КПД=65%, Uси=8В, Iс=1,5А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5510279A-T1-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=35,5дБм(0,9ГГц), Кус.лин=16дБ, КПД=65%, Uси=8В, Iс=1,5А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5511279A-T1-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,46…0,9ГГц, Рвых.макс=40,5дБм(0,46ГГц), Кус.лин=18,5дБ, КПД=50%, Uси=8В, Iс=3А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5520279A-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=32дБм(1,8ГГц), Кус.лин=10дБ, КПД=45%, Uси=6В, Iс=1А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5520379A-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5520379A-T1 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,45…2,5ГГц, Рвых.макс=35,5дБм(0,915ГГц), Кус.лин=16дБ, КПД=45%, Uси=6В, Iс=2А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE552R679A-T1 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 460МГц, Рвых.макс=28дБм, Кус.лин=20дБ, КПД=60%, Uси=6В, Iс=500мА, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE552R679A-T1-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 460МГц, Рвых.макс=28дБм, Кус.лин=20дБ, КПД=60%, Uси=6В, Iс=500мА, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5531079A-T1-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, 0.46ГГц, Кш=50,5дБ(0.46ГГц), Pout=40дБм(0.46ГГц), Uси = 7.5В, Ic=3А, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE55410GR-E1 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 960МГц, Рвых(1дБ)=41,5дБм, Кус.лин=30дБ, Uси=28В, 16HTSSOP, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE55410GR-T3-AZ Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 960МГц, Pвых(1дБ)=41,5дБм, Лус.лин=30дБ, Uси=28В, 16HTSSOP, -40..+85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5820M53-A P- канальный MOS Field Effect Transistor, применение - микрофоны , усилители голоса, NV = -114 dBV TYP. @VDD = 2.0 V, Cin = 3 pF, RL = 15 kOh | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE5820M53-T1-A P- канальный MOS Field Effect Transistor, применение - микрофоны , усилители голоса, NV = -114 dBV TYP. @VDD = 2.0 V, Cin = 3 pF, RL = 15 kOh, ко | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE6500179A-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE6510179A-T1 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,8…2,5ГГц, Рвых.макс=32,5дБм(1,9ГГц), Кус.лин=10дБ, КПД=58%, Uси=6В, Iс=2,4А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE651R479A-A Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,8…2,5ГГц, Рвых.макс=27дБм(1,9ГГц), Кус.лин=12дБ, КПД=60%, Uси=6В, Iс=0,7А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE651R479A-T1 Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, мощный, 0,8…2,5ГГц, Рвых.макс=27дБм(1,9ГГц), Кус.лин=12дБ, КПД=60%, Uси=6В, Iс=0,7А, 79A, -40…+85?C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE66219-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=25ГГц, Кш=1,2дБ(2ГГц), hFE=60…100, Uкэ=3В, Iк=35мА, 3USMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE662M04-T2 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE663M04-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE663M04-T2 Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=17ГГц, Кш=1,2дБ(2ГГц), OIP3=27дБм(2ГГц), hFE=50…100, Uкэ=3В, Iк=100мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE664M04-A Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=20ГГц, 0,46…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=26дБм(1,8ГГц), КПД=60%, hFE=40…100, Uкэ=5В, Iк=500мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE664M04-T2-A Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=20ГГц, 0,46…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=26дБм(1,8ГГц), КПД=60%, hFE=40…100, Uкэ=5В, Iк=500мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE667M03-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE677M04-T2 Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=12ГГц, 0,9…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=15дБм(1,8ГГц), КПД=50%, hFE=75…150, Uкэ=6В, Iк=50мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE678M04-A Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=12ГГц, 0,9…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=18дБм(1,8ГГц), КПД=55%, hFE=75…150, Uкэ=6В, Iк=100мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE678M04-T2 Транзистор, n-p-n, СВЧ, мощный, Ft=12ГГц, 0,9…2,4ГГц, Рвых(1дБ)=18дБм(1,8ГГц), КПД=55%, hFE=75…150, Uкэ=6В, Iк=100мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68019-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68030 Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=8ГГц, Кш=1,9дБ(2ГГц), Скб=0,3пФ, hFE=50…100, Uкэ=10В, Iк=35мА, 3SMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68119-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68130-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=7ГГц, Кш=1,4дБ(1ГГц), S21e=12дБ, hFE=40…90, Uкэ=10В, Iк=65мА, 3SMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68133-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68519-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=12ГГц, Кш=1,5дБ(2ГГц), S21e=11дБ, hFE=75…150, Cкб=0,4пФ, Uкэ=6В, Iк=30мА, 3USMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE687M03-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE68819-T1 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE688M03-T1 не рекомендуется для новых разработок | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE722S01 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE851M03-T1 Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=6,5ГГц, Кш=1,9дБ(2ГГц), S21e=5,5дБ, hFE=100…145, Uкэ=5,5В, Iк=100мА, F3TUSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE85619-T1 Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=4,5ГГц, Кш=1,2дБ(1ГГц), S21e=9дБ, hFE=80…160, Uкэ=12В, Iк=100мА, 3USMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE85630-T1 Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=4,5ГГц, Кш=1,2дБ(1ГГц), S21e=9дБ, hFE=125…250, Uкэ=12В, Iк=100мА, 3SMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE894M13-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Ft=20ГГц, Кш=1,4дБ(2ГГц), S21e=13дБ, hFE=50…100, Uкэ=3В, Iк=35мА, 3L2MM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE97733-A Транзистор, p-n-p, СВЧ, общего назначения, Ft=8,5ГГц, S21е=12дБ, Кш=1,5дБ(1ГГц), hFE=20…100, Uкэ=-12В, Iк=-60мА, 3MM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NE97833-A Транзистор, p-n-p, СВЧ, общего назначения, Ft=5,5ГГц, S21е=10дБ, Кш=2дБ(1ГГц), hFE=20…100, Uкэ=-12В, Iк=-50мА, 3MM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2021M05-T1-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=1.3 дБ Кус = 10 дБ (5,2ГГц), Кш=0,9 дБ Кус = 18 дБ (2ГГц), MSG=22,5дБ(2ГГц), Uкэ=2В, Iк=3мА, корпус М05 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2021M05-T2 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2030M04-A | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2031M05-T2 | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2101M05-A Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, 2ГГц, Рвых(1дБ)=21дБм(2ГГц), Кус.лин=15дБ(2ГГц), Кш=0,6дБ(1ГГц), Uкэ=5В, Iс=100мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2101M05-T1-A Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, 2ГГц, Рвых(1дБ)=21дБм(2ГГц), Кус.лин=15дБ(2ГГц), Кш=0,6дБ(1ГГц), Uкэ=5В, Iс=100мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG2101M05-T2 Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, 2ГГц, Рвых(1дБ)=21дБм(2ГГц), Кус.лин=15дБ(2ГГц), Кш=0,6дБ(1ГГц), Uкэ=5В, Iс=100мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG250134-A Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=29дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=500мА, 3РMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG250134-T1 Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=29дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=500мА, 3РMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG250134-T1-AZ Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=29дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=500мА, 3РMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG260234-T1 Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=30дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=600мА, 3MM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG260234-T1-AZ Транзистор n-p-n, СВЧ, средней мощности, Рвых(1дБ)=30дБм(460МГц), MSG=23дБ(460МГц), КПД=60%, Uкэ=9В, Iс=600мА, 3MM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG303100G NPN Transistors, Chips | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG3031M05-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=0,95дБ(5,2ГГц), S21e=9дБ(5,8ГГц), hFE=220…380, Uкэ=4,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG3031M05-T1-A Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=0,95дБ(5,2ГГц), S21e=9дБ(5,8ГГц), hFE=220…380, Uкэ=4,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе | ||
| NESG3031M05-T2 Транзистор n-p-n, СВЧ, малошумящий, Кш=0,95дБ(5,2ГГц), S21e=9дБ(5,8ГГц), hFE=220…380, Uкэ=4,3В, Iк=35мА, F4TSMM, -40...85C | Renesas Electronics | На складе |
