F-RAM c параллельным интерфейсом

ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Производители: Cypress Ramtron
  • 1000
  • 100
  • На странице:
  • Всего: 25
Модель Название Производитель Наличие Количество
FM1608B-SG FM1608B-SG Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5 вольт, корпус 28-Pin SOIC, -40+85 Ramtron На складе
FM1608B-SGTR FM1608B-SGTR Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5 вольт, корпус 28-Pin SOIC, -40+85 Ramtron На складе
FM16W08-SG FM16W08-SG Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85 Ramtron На складе
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85 Ramtron На складе
FM1808B-SG FM1808B-SG Память 256кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85 Ramtron На складе
FM1808B-SGTR FM1808B-SGTR Память 256кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5вольт, корпус SOIC28, -40+85 Ramtron На складе
FM18L08-70-PG Снята с производства. Ramtron На складе
FM18W08-SG FM18W08-SG Память 256Kбит, параллельный интерфейс, корпус SOIC28, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, температурный диапазон -40+85 Ramtron На складе
FM18W08-SGTR FM18W08-SGTR Память 256Kбит, параллельный интерфейс, корпус SOIC28, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, температурный диапазон -40+85 Ramtron На складе
FM21L16-60-TG FM21L16-60-TG Память 2Mбит, параллельный интерфейс, корпус TSOP-II-44, напряжение питания 2.7-3.6 вольт, температурный диапазон -40+85 Ramtron На складе
FM21L16-60-TGTR FM21L16-60-TGTR Память 2Mбит, параллельный интерфейс, корпус TSOP-II-44, напряжение питания 2.7-3.6 вольт, температурный диапазон -40+85 Ramtron На складе
FM21LD16-60-BG Ramtron На складе
FM21LD16-60-BGTR Ramtron На складе
FM22L16-55-TG FM22L16-55-TG FRAM память, параллельный интерфейс, объем 4 Мбит, питание 2,7-3,6Вольт, корпус 44 TSOP, температура -40+85 Cypress На складе
FM22L16-55-TGTR FM22L16-55-TGTR FRAM память, параллельный интерфейс, объем 4 Мбит, питание 2,7-3,6Вольт, корпус 44 TSOP, температура -40+85 Ramtron На складе
FM22LD16-55-BG память FRAM, 4Мбит (256Kx16) или (512Кх8), паралл., 55 нс, 10^14 циклов перезаписи, Uпит=2.7…3.6В, -40°…+85°С, BGA48, Pb-Free Ramtron На складе
FM22LD16-55-BGTR память FRAM, 4Мбит (256Kx16) или (512Кх8), паралл., 55 нс, 10^14 циклов перезаписи, Uпит=2.7…3.6В, -40°…+85°С, BGA48, Pb-Free Ramtron На складе
FM23MLD16-60-BG FM23MLD16-60-BG Память F-RAM, объем 512х16 8 МБит, паралл. интерфейс, 100 триллионов циклов перезаписи, время доступа 60нс, напряжение питания 2,7 -3,6 В, максималь Ramtron На складе
FM23MLD16-60-BGTR FM23MLD16-60-BGTR Память F-RAM, объем 512х16 8 МБит, паралл. интерфейс, 100 триллионов циклов перезаписи, время доступа 60нс, напряжение питания 2,7 -3,6 В, максималь Ramtron На складе
FM28V020-SG FM28V020-SG Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, питание 2.0 - 3.6В, макс ток 12 мА, корпус 28 выводов SOIC, -40+85. Ramtron На складе
FM28V020-SGTR FM28V020-SGTR Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, питание 2.0 - 3.6В, макс ток 12 мА, корпус 28 выводов SOIC, -40+85. Ramtron На складе
FM28V020-TG FM28V020-TG Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, напряжение питания 2.0 - 3.6В, максимальный ток 12 мА, корпус 32 вывода TSOP, -40+85. Ramtron На складе
FM28V020-TGTR FM28V020-TGTR Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, напряжение питания 2.0 - 3.6В, максимальный ток 12 мА, корпус 32 вывода TSOP, -40+85. Ramtron На складе
FM28V100-TG FM28V100-TG память FRAM, 1Мбит (128Kx8), паралл., 60 нс, 100 трл. циклов перезаписи, Uпит=2.0…3.6В, -40°…+85°С, TSOP-I-32, без свинца Ramtron На складе
FM28V100-TGTR FM28V100-TGTR память FRAM, 1Мбит (128Kx8), паралл., 60 нс, 100 трл. циклов перезаписи, Uпит=2.0…3.6В, -40°…+85°С, TSOP-I-32, без свинца Ramtron На складе