Лазерные диоды
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Производители:
Renesas Electronics
| Модель | Название | Производитель | Наличие | Количество |
|---|---|---|---|---|
| NX5322EH-AZ InGaAsP MQW-FP LASER DIODE, 1310 nm FOR 156 Mb/s, 622 Mb/s, 1.25 Gb/s, | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX5521EH-AZ InGaAsP MQW-FP LASER DIODE 1550 nm FOR FTTH | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX5522EH-AZ InGaAsP MQW-FP LASER DIODE, 1550 nm FOR FTTH, Optical output power Po = 5.0 mW, Low threshold current lth = 8 mA, wide operating temperature range | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX6411GH-AZ LASER DIODE, 1490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION, Optical output power Po = 14.0 mW, Low threshold current lth = | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7339BB-AA 1310nm FP-LD for OTDR | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7339BB-AA-AZ Лазерный диод Фабри-Перо, 1310нм, Pf=50мВт, корпус 4-pin коаксиальный, применение: оптический рефлектометр временной области | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7537BF-AA-AZ Лазерный диод Фабри-Перо, 1550нм, Pf=145мВт, корпус 4-pin коаксиальный, применение: оптический рефлектометр временной области | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7539BB-AA 1550nm FP-LD for OTDR | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7539BB-AA-AZ Лазерный диод Фабри-Перо, 1550нм, Pf=40мВт, корпус 4-pin коаксиальный, применение: оптический рефлектометр временной области | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7561JB-BC LASER DIODE MODULE, InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION | Renesas Electronics | На складе | ||
| NX7639BB-AA-AZ Лазерный диод Фабри-Перо, 1625нм, Pf=70мВт, корпус 4-pin коаксиальный, применение: оптический рефлектометр временной области | Renesas Electronics | На складе |
