IGBT транзисторы

Производители: IXYS Renesas Electronics Toshiba
  • 1000
  • 100
  • На странице:
  • Всего: 471
  • Страница:
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
Модель Название Производитель Наличие Количество
GT15J341,S4X(S DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT20J341,S4X(S DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT30J121(Q) DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT30J341,Q(O DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT40QR21(STA1,E,D DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT40RR21(STA1,E,S) DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT40WR21,Q(O DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT50J342,Q(O DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT50JR21(STA1,E,S) DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT50JR22(STA1,E,S) DISCRETE IGBT WITH DIODE Toshiba На складе
GT60M324(Q) DISCRETE IGBT WITH DIODE, TO-3PN Toshiba На складе
GT60N321(Q) DISCRETE IGBT WITH DIODE, TO-3PL Toshiba На складе
IXA12IF1200PB IGBT транзистор; 1200В; 20А; 1.8В; со встроенным диодом; корпус TO-220 IXYS На складе
IXA17IF1200HJ IXYS На складе
IXA33IF1200HB IGBT транзистор; 1200В; 58А; 1,8В; корпус ТО-247 IXYS На складе
IXA37IF1200HJ IXYS На складе
IXA45IF1200HB IXYS На складе
IXA60IF1200NA IGBT транзистор; 1200В; 88А; 1,8В; корпус SOT-227B IXYS На складе
IXBF14N250 IXYS На складе
IXBF20N300 IGBT транзистор; 3000В; 14А; 3,2В; корпус ISOPLUS i4-Pak IXYS На складе
IXBF40N160 IXYS На складе
IXBF55N300 высоковольтный IGBT, BiMOSFET, ISOPLUS i4-Pak, 290 Вт, 3000В/73 А (25°С)/28 А (110°С), Vse менее 3.2 В, Trr 1,9 мксек, изоляция 4000В AC, -55...+150° IXYS На складе
IXBF9N160G IXYS На складе
IXBH10N170 IXYS На складе
IXBH14N250 IXYS На складе
IXBH14N250A IXYS На складе
IXBH16N170 IXYS На складе
IXBH16N170A IGBT транзистор; 1700В; 16А; 6В; корпус ТО-247 IXYS На складе
IXBH20N300 высоковольтный IGBT, BiMOSFET, TO-247, 250 Вт, 3000В/50 А (25°С)/20 А (110°С), Vse менее 3.2 В, Trr 1,35 мксек, -55...+150°С IXYS На складе
IXBH40N160 IXYS На складе
IXBH42N170 IXYS На складе
IXBH42N170A IGBT транзистор; 1700В; 21А; 6В; корпус ТО-247 IXYS На складе
IXBH5N160G Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS На складе
IXBH6N170 IGBT транзистор; 1700В; 6А; 3,4В; корпус ТО-247 IXYS На складе
IXBH9N160G IXYS На складе
IXBK55N300 BiMOSFET IGBT транзистор, 625 Вт, TO-264, 3000В/130А(25°C),55А(110°C), Vse sat <3.2В, -55...+150°C IXYS На складе
IXBK64N250 Высоковольтный BiMOSFET транзистор, 735 Вт, корпус TO-264, напряжение 2500В/64А (110°C), Vsat 3В, -55...+150°C IXYS На складе
IXBN42N170A IXYS На складе
IXBN75N170A IXYS На складе
IXBP5N160G IXYS На складе
IXBT10N170 IXYS На складе
IXBT16N170A IXYS На складе
IXBT42N170 IXYS На складе
IXBT42N170A IXYS На складе
IXBT6N170 IXYS На складе
IXBX64N250 IGBT транзистор; 2500В; 64А; 3В; корпус PLUS247 IXYS На складе
IXBX75N170 IGBT транзистор; 1700В; 75А; 3,1В; корпус PLUS247 IXYS На складе
IXDA20N120AS IXYS На складе
IXDA20N120AS TR TO-263AB (D2Pak) (2) IXYS На складе
IXDH20N120 IXYS На складе
IXDH20N120D1 IXYS На складе
IXDH30N120 IXYS На складе
IXDH30N120D1 IGBT транзистор; 1200В; 60А; 2,4В; корпус ТО-247 IXYS На складе
IXDH35N60B IXYS На складе
IXDH35N60BD1 IXYS На складе
IXDN55N120D1 IXYS На складе
IXDN75N120 IXYS На складе
IXDP20N60B IXYS На складе
IXDP20N60BD1 IXYS На складе
IXDP35N60B IXYS На складе
IXDR30N120 IXYS На складе
IXDR30N120D1 IXYS На складе
IXDR35N60BD1 IXYS На складе
IXEH25N120 TO-247AD (3) IXYS На складе
IXEH25N120D1 TO-247AD (3) IXYS На складе
IXEH40N120 TO-247AD (3) IXYS На складе
IXEH40N120D1 TO-247AD (3) IXYS На складе
IXEL40N400 IGBT транзистор; 4000В; 40А; 3,2В; корпус ISOPLUS i5-Pak IXYS На складе
IXER35N120D1 ISOPLUS247 (3) IXYS На складе
IXGA12N120A2 IXYS На складе
IXGA16N60B2 IXYS На складе
IXGA16N60B2D1 IXYS На складе
IXGA16N60C2 IXYS На складе
IXGA16N60C2D1 IXYS На складе
IXGA20N100 IXYS На складе
IXGA20N120 IXYS На складе
IXGA20N120B IXYS На складе
IXGA7N60B IXYS На складе
IXGA7N60BD1 TO-263AB (D2Pak) (2) IXYS На складе
IXGA7N60C IXYS На складе
IXGA7N60CD1 IXYS На складе
IXGA8N100 IXYS На складе
IXGC16N60B2 IXYS На складе
IXGE200N60B IXYS На складе
IXGF30N400 Не рекомендован для новых разработок IXYS На складе
IXGF32N170 IXYS На складе
IXGF36N300 высоковольтный транзистор IGBT, 160Вт, ISOPLUS i4-Pak, 3000В/36А, VCE(sat) 2,7В, изоляция 4000 В AC, -55...+125°С IXYS На складе
IXGH100N30C3 IXYS На складе
IXGH10N100A IXYS На складе
IXGH10N170 IXYS На складе
IXGH10N170A IXYS На складе
IXGH120N30B3 IXYS На складе
IXGH120N30C3 IXYS На складе
IXGH12N120A2D1 IXYS На складе
IXGH15N120CD1 IXYS На складе
IXGH16N170 IXYS На складе
IXGH16N170A IGBT транзистор; 1700В; 11А; 5В; корпус ТО-247 IXYS На складе
IXGH16N170AH1 IXYS На складе
IXGH16N60B2D1 IXYS На складе
IXGH16N60C2D1 IXYS На складе