модуль NPT3 IGBT, корпус E10 (190х140х38 мм), AlSiC основание, 3 транзистора с общим эмиттером, 3300 В/1200 А (80 °C), Vce(sat) 3.1 В (25 °C), изоляция 6000 ВAC, -40...+125 °C
